上海集成电路装备材料产业创新中心申请金属绝缘层金属电容结构及其制备方法专利改善电容的漏电流

　　国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“金属绝缘层金属电容结构及其制备方法”的专利，公开号CN121368341A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种金属绝缘层金属电容结构及其制备方法，所述金属绝缘层金属电容结构包括：半导体基底，其上设有第一电极层；设于所述第一电极层上的第一氧化铝层；设于所述第一氧化铝层上的包括多层介电层的介电叠层，所述介电叠层中任一介电层的厚度均大于所述第一氧化铝层的厚度且最靠近所述半导体基底的介电层的材质与所述第一氧化铝层的材质不同；设于所述介电叠层上的第二电极层。本发明用于在确保金属绝缘层金属电容的电容值的前提下改善电容的漏电流。

　　天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目79次，财产线条，此外企业还拥有行政许可211个。

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