中芯国际申请半导体器件及其形成方法专利解决静态噪声容限及器件功能失效问题

　　国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法、芯片”的专利，公开号CN121463472A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其形成方法、芯片，该方法包括：在至少部分鳍部上形成有源沟槽，有源沟槽内的拐角位置点与有源沟槽中邻近侧壁上的最外侧位置点具有第一横向距离；至少对有源沟槽内的拐角部进行移除改性处理，形成改性层；移除改性层，以形成调整后的有源沟槽，调整后的有源沟槽内的拐角位置点与调整后的有源沟槽中邻近侧壁上的最外侧位置点具有第二横向距离，第二横向距离小于第一横向距离；在调整后的有源沟槽处形成源漏区。本申请解决了形成形貌不佳的源漏区所导致的静态噪声容限以及器件功能失效的问题。

　　天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线条，此外企业还拥有行政许可446个。

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